سامسونگ تولید انبوه اولین حافظه ۵۱۲ گیگابایتی eUFS 3.0 را آغاز کرد

تنها چند روز پس از رونمایی از گلکسی اس 10 سامسونگ حالا تولید حافظه‌های ۵۱۲ گیگابایتی سریع‌تر eUFS 3.0 را آغاز کرده است.

0

سرعت و عملکرد حافظه‌های موبایلی در چند سال اخیر به لطف فناوری eUFS پیشرفت فراوانی نسبت به استاندارد eMMC داشته است. در حال حاضر اکثر پرچم‌داران از حافظه‌های eUFS 2.1 استفاده می‌کنند اما حالا سامسونگ تولید حافظه‌های eUFS 3.0 را نیز آغاز کرده است. این حافظه‌ها در حجم ۵۱۲ گیگابایتی تولید خواهد شد.

حافظه‌های جدید ۵۱۲ گیگابایتی سامسونگ قرار است دوبرابر سرعت بیشتری نسبت به نسل فعالی داشته باشند. به گفته مدیر اجرایی فروش و بازاریابی حافظه‌های سامسونگ، تراشه‌های eUFS 3.0 سرانجام به سرعت سریع‌ترین حافظه‌های استفاده شده در لپ‌تاپ‌های فوق باریک رسیده است.

یک حافظه ۵۱۲ گیگابایتی eUFS 3.0 شامل هشت قطعه V-NAND نسل پنجمی ۵۱۲ گیگابیتی و همچنین یک کنترلر سریع جدید است. به این ترتیب سرعت خواندن این حافظه‌ها به ۲۱۰۰ مگابیت بر ثانیه نیز می‌رسد که دوبرابر سریع‌تر از حافظه‌های eUFS 2.1 کنونی است. این سرعت همچنین چهاربرابر از حافظه‌های SATA SSD نیز سریع‌تر هستند. سرعت نوشتن در این حافظه‌ها نیز ۴۱۰ مگابایت بر ثانیه یعنی در حد حافظه‌های SATA SSD است.

همچنین عملکرد IOPS در این حافظه‌ها برای خواندن تصادفی 63000 IOPS و برای نوشتن 68000 IOPS است؛ یعنی چیزی حدود ۶۳۰ برابر سرعت کارت‌های حافظه microSD رایج.

گفتنی است سامسونگ تولید انبوه حافظه‌های eUFS 3.0 با ظرفیت ۱۲۸ گیگابایتی را نیز آغاز کرده و قصد دارد در نیمه دوم سال ۲۰۱۹ ظرفیت‌های ۲۵۶ گیگابایتی و یک ترابایتی را نیز به خط تولید اضافه کند. به این ترتیب می‌توان انتظار داشت گلکسی نوت 10 و گلکسی اس 11 هم به این حافظه‌های فوق سریع مجهز شوند.

منبع GSMArena

نوشتن دیدگاه

آدرس ایمیل شما منتشر نخواهد شد.

دیدگاه شما پس از بررسی توسط تحریریه منتشر خواهد شد. در صورتی که در بخش نظرات سوالی پرسیده‌اید اگر ما دانش کافی از پاسخ آن داشتیم حتماً پاسخگوی شما خواهیم بود در غیر این صورت تنها به امید دریافت پاسخ مناسب از دیگران آن را منتشر خواهیم کرد.

پیشنهاد سردبیر